鉭電容應(yīng)該怎么保存好： 對(duì)反激式開(kāi)關(guān)電源而言，每當(dāng)功率MOSFET由導(dǎo)通變成截止時(shí)，在開(kāi)關(guān)電源的一次繞組上就會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓。而開(kāi)關(guān)電源能夠正常啟動(dòng)和工作的最低漏極直流電壓為50V。當(dāng)開(kāi)關(guān)電源的輸入直流電壓Ui<50V時(shí)，芯片就無(wú)法提供足夠的偏壓以維持正常工作。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感 （即漏磁產(chǎn)生的自感）而形成的，它與直流高壓Ui和感應(yīng)電壓Uor疊加在MOSFET的漏極上，很容易損壞MOSFET。鉭電解電容為此，必須在增加漏極鉗位保護(hù)電路，對(duì)尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收。
這就是輸入濾波電容器提升直流電壓的作用.其目的是使漏感能量能夠得到恢復(fù)，以提高電源效率。玻璃鈍化整流管的反向恢復(fù)時(shí)間介于快恢復(fù)二極管與普通硅整流管之間,我國(guó)安全電壓額定值的等級(jí)為42.36.24.12V和6V。 http://www.hostarks.com了解更多有關(guān)于鉭電容信息
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業(yè)務(wù)部郭經(jīng)理
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